集成電路工藝原理填空題每日一練(2019.12.16)

填空題
制作鎢塞的主要工藝步驟是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨拋鎢。
答案：鈦淀積阻擋層；氮化鈦淀積；鎢淀積
填空題
常規(guī)集成電路平面制造工藝主要由（）、（）、（）、（）、（）等工藝手段組成。
答案：光刻；氧化；擴散；刻蝕；離子注入（外延、CVD、PVD）
填空題
選擇性氧化常見的有（）和（），其英語縮略語分別為LOCOS和（）。
答案：局部氧化；淺槽隔離；STI
填空題
立式爐的工藝腔或爐管是對硅片加熱的場所，它由垂直的（）、（）和（）組成。
答案：石英工藝腔；加熱器；石英舟
填空題
擴散是物質的一個基本性質，分為三種形態(tài)（）擴散、（）擴散和（）擴散。
答案：氣相；液相；固相