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問答題

【簡答題】采用MOSFET作為nMOS反相器的負載器件有哪些優(yōu)點？

答案：采用負載電阻會占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負載電阻小，并且有源負載反相器電路比無源負載反相器有更好的...

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【簡答題】
設計一個V_OL=0.6V的電阻負載反相器，增強型驅動晶體管V_T0=1V， V_DD=5V
1）求V_IL和V_IH
2）求噪聲容限V_NML和V_NMH

答案：

【簡答題】考慮一個電阻負載反相器電路：V_DD=5V，K_N`=20uA/V2 ，V_T0=0.8V，R_L=200KΩ，W/L=2。計算V_TC曲線上的臨界電壓值（V_OL、V_OH、V_IL、V_IH）及電路的噪聲容限，并評價該直流反相器的設計質量。

答案：