問答題

【簡答題】試解釋Power MOSFET的開關頻率高于GTR、IGBT、GTO。

答案： Power MOSFET為單極性器件，沒有少數(shù)載流子存貯效應，反向恢復時間很短。
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問答題

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答案： Power MOSFET更易于并聯(lián)，其導通溝道電阻為正溫度系數(shù)。
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