A.有雜質(zhì)(如Na、P等)存在,氧化速率降低B.生長十幾nm厚的柵氧化層時(shí),服從線性氧化速率C.溫度升高氧化速率迅速增加D.(111)硅比(100)硅氧化得快
A.(100)B.(111)C.(110)D.(211)