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單項(xiàng)選擇題

當(dāng)¹H核連接電負(fù)性基團(tuán)時(shí)，會(huì)引起¹H核外局部的電子云密度變化，由此引起的化學(xué)位移特征包括（）

A. 逆磁性位移
B. ¹H的信號(hào)移向高場(chǎng)
C. 屏蔽效應(yīng)
D. δ值增大

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單項(xiàng)選擇題

化合物CH₃CH₂CHO的¹HNMR譜圖上有（）

A. 3個(gè)單峰
B. 1個(gè)單峰
C. 3組峰；1個(gè)為3重峰，1個(gè)為2重峰，1個(gè)為單峰
D. 3組峰；2個(gè)為3重峰，1個(gè)為8重峰

單項(xiàng)選擇題

下列化合物的¹HNMR譜，各組峰均為單峰的為（）

A. CH₃CH₂COOCH₂CH₃
B. CH₃OOCCH₂COOCH₃
C. CH₃OOCCH₂CH₂COOCH₃
D. CH₃CH₂OCH₂CH₃