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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】解釋說(shuō)明自對(duì)準(zhǔn)柵工藝流程，為什么當(dāng)圖形化尺寸小到0.18um時(shí)，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當(dāng)圖形化尺寸小到65nm時(shí)，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？
答案：
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述CMOS IC工藝中的三種阱區(qū)形成工藝
答案：
高能量、低電流的離子注入；加熱退火/擴(kuò)散工藝；自對(duì)準(zhǔn)雙阱工藝。
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述集成電路制造中的四種隔離技術(shù)
答案：
整面全*區(qū)覆蓋氧化層、局部硅氧化（LOCOS）、淺槽隔離（STI）、P型摻雜結(jié)也可以用于形成相鄰晶體管的電氣隔離。
