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判斷題

泡利不相容原理指出每個(gè)電子層最多只能容納2n²個(gè)電子。

答案：正確

單項(xiàng)選擇題

下列有關(guān)自蔓延高溫合成（簡稱SHS）方法的說法中，錯(cuò)誤的是（）。

A.所謂自蔓延高溫合成材料制備是指利用原料本身的熱能來制備材料
B.“鋁熱法”不屬于自蔓延高溫合成法
C.SHS 過程的基礎(chǔ)是能發(fā)生強(qiáng)烈的放熱反應(yīng)，是反應(yīng)本身得以以反應(yīng)波的形式持續(xù)下去
D.SHS 以自蔓延方式實(shí)現(xiàn)粉末間的反應(yīng)，與制備材料的傳統(tǒng)工藝比較，工序減少，流程縮短，工藝簡單

面心立方和六方最緊密堆積的空間利用率均為74.05%，空隙占整個(gè)空間的25.95%。

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泡利不相容原理指出每個(gè)電子層最多只能容納2n2個(gè)電子。

下列有關(guān)自蔓延高溫合成（簡稱SHS）方法的說法中，錯(cuò)誤的是（）。

面心立方和六方最緊密堆積的空間利用率均為74.05%，空隙占整個(gè)空間的25.95%。

泡利不相容原理指出每個(gè)電子層最多只能容納2n²個(gè)電子。

下列有關(guān)自蔓延高溫合成（簡稱SHS）方法的說法中，錯(cuò)誤的是（）。