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填空題
注入離子的射程主要由（）決定。確定注入離子分布的主要參數(shù)是（）及其（）。注入離子分布的一級(jí)近似為（）?？蓪?xiě)成：
答案：
離子能量、離子種類(lèi)和襯底材料；平均投影射程；標(biāo)準(zhǔn)偏差；高斯分布
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填空題
CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。
答案：
針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動(dòng)電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N
