問答題

【計算題】
電路如圖所示，已知FET的U_th=3V、K_n=0.1mA/V²。現(xiàn)要求該電路中FET的I_DQ=1.6mA，試求R_d的值應(yīng)為多大？

答案：

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【計算題】
電路如圖所示，已知VT在U_GS=5V時的I_D=2.25mA，在U_GS=3V時的I_D=0.25mA?，F(xiàn)要求該電路中FET的V_DQ=2.4V、I_DQ=0.64mA，試求：
（1）管子的K_n和U_th的值；
（2）R_d和R_S的值應(yīng)各取多大？

答案：

【計算題】
試求圖所示每個電路的U_DS，已知|I_DSS|=8mA。

答案：