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擴散只用于淺結(jié)的制備
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在LPCVD中,由于hG>>kS,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠大于表面反應(yīng)速率常數(shù),所以,LPCVD系統(tǒng)中,淀積過程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制
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單項選擇題
離子注入與熱擴散相比,哪個橫向效應(yīng)?。ǎ?/h4>
A. 離子注入
B. 熱擴散
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