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問(wèn)答題

【計(jì)算題】設(shè)空穴的濃度呈線性分布，在3μm內(nèi)濃度差為1×10¹⁵cm^－3，遷移率為400cm²/（V·s），試計(jì)算室溫下的空穴擴(kuò)散電流密度j_h。

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】在某一N型半導(dǎo)體電子濃度為1×10¹⁵cm^－3，電子遷移率為1000cm²/（V·s），求其電阻率。

答案：

問(wèn)答題

【計(jì)算題】在一個(gè)N型鍺樣品中，非平衡載流子濃度是1×10¹³cm^－3，空穴壽命為100μs，計(jì)算空穴的復(fù)合率。

答案：

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