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()是將電力MOSFET與晶閘管SCR組合而成的復(fù)合型器件。
A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT
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單項選擇題
電力場效應(yīng)晶體管的英文表示為()。
A.GTO
B.GTR
C.電力MOSFET
D.IGBT
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單項選擇題
使IGBT開通的柵射極間驅(qū)動電壓一般取()V。
A.(-5)-(-15)
B.10-15
C.15-20
D.20-25
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