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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】熱生長(zhǎng)厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO2的界面與原來(lái)的硅表面的高度差為多少？為什么？
答案：
氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長(zhǎng)1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A
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【簡(jiǎn)答題】什么是摻氯氧化？試說(shuō)明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。
答案：
在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質(zhì)量，在氧化的全過(guò)程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數(shù)量的氯，將氯結(jié)合到氧...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來(lái)改善其氧化層質(zhì)量？
答案：
原因：
（1）由于水汽的進(jìn)入，是網(wǎng)絡(luò)中大量的橋鍵氧變?yōu)榉菢蜴I氧的羥基，使氧化層結(jié)構(gòu)變疏松，密度降低，質(zhì)量不如干...
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