問答題

【簡答題】晶閘管并聯(lián)時,有幾種引起電流不平衡的原因?如何抑制?

答案: 由于并聯(lián)的各個晶閘管在導通狀態(tài)時的伏安特性各不相同,卻有相同的端電壓,因而通過并聯(lián)器件的電流是不等的。
為了使...
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問答題

【簡答題】IGBT在何種情況下會出現(xiàn)擎住效應?使用中如何避免出現(xiàn)該效應?

答案: 因為IGBT是4層結構,體內(nèi)存在一個寄生晶體管,在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在一個體區(qū)短路電阻,P型區(qū)的橫向空穴流...
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【簡答題】功率MOSFET靜電保護措施有哪些?

答案: 功率MOSFET可采取3個方面的靜電保護措施:
①應存放在防靜電包裝袋、導電材料包裝袋或金屬容器中,不能放在塑...
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