首頁
題庫
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
問答題
【簡答題】晶閘管并聯(lián)時,有幾種引起電流不平衡的原因?如何抑制?
答案:
由于并聯(lián)的各個晶閘管在導通狀態(tài)時的伏安特性各不相同,卻有相同的端電壓,因而通過并聯(lián)器件的電流是不等的。
為了使...
點擊查看完整答案
在線練習
手機看題
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】IGBT在何種情況下會出現(xiàn)擎住效應?使用中如何避免出現(xiàn)該效應?
答案:
因為IGBT是4層結構,體內(nèi)存在一個寄生晶體管,在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間存在一個體區(qū)短路電阻,P型區(qū)的橫向空穴流...
點擊查看完整答案
手機看題
問答題
【簡答題】功率MOSFET靜電保護措施有哪些?
答案:
功率MOSFET可采取3個方面的靜電保護措施:
①應存放在防靜電包裝袋、導電材料包裝袋或金屬容器中,不能放在塑...
點擊查看完整答案
手機看題
微信掃碼免費搜題