問答題

【計算題】

溫度為300K時本征硅的電子濃度1.5×1010cm-3，電子和空穴遷移率分別為1350cm2/V·S和500cm2/V·S。
1）計算硅的本征電導(dǎo)率。
2）硅的原子密度為5.00×1022/cm3。當(dāng)摻入百萬分之一的As后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算其電導(dǎo)率。比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？
3）若該樣品所加的電場強(qiáng)度為1.34V/cm，試求流過該樣品的電流密度是多少？

答案：

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