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單項(xiàng)選擇題

麒麟980芯片采用的工藝水平是（）。

A.10nm
B.5nm
C.7nm
D.9nm

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單項(xiàng)選擇題

?形成B的超淺結(jié)摻雜（劑量為QB）時(shí)，為了避免溝道效應(yīng)可否先注入銻（劑量為QSb）再注入硼？實(shí)際注入了多少硼？（）

A.可以，實(shí)際注硼：QB
B.不可以
C.可以，實(shí)際注硼：QB+QSb
D.可以，實(shí)際注硼：QB-QSb

單項(xiàng)選擇題

在離子注入摻雜時(shí)，有少部分雜質(zhì)進(jìn)入襯底后穿過(guò)較大距離，這種現(xiàn)象就是（）。當(dāng)偏離晶向（）ψc注入時(shí)，可以避免。

A.橫向效應(yīng)，>
B.橫向效應(yīng)，<
C.溝道效應(yīng)，<
D.溝道效應(yīng)，>

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