A.輸入阻抗極低,有極高扇出數(shù) B.集成電路所占體積小 C.O”是指二氧化硅層 D.可作雙向?qū)ΨQ開關(guān)
A.共源極(CS) B.共汲極(CD) C.共閘極(CG) D.以上皆非
如圖所示的電路為N信道空乏型MOSFET的偏壓電路,設(shè)VDD=+24V,RD=1.2kΩ,RG=10MΩ,MOSFET的IDSS=9mA,VP=-4.5V,則直流偏壓值為何?()
A.VGS=4.5V,ID=9mA B.VGS=-4.5V,ID=4.5mA C.VGS=0V,VGS=18.6V D.VGS=0V,VDS=4.5V E.VGS=0V,VDS=13.2V