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填空題
肖特基接觸呈現(xiàn)（），肖特基結的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現(xiàn)（）特性，接觸電阻可以低到10-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導體襯底實現(xiàn)（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。
答案：
二極管特性；金屬功函數和半導體表面功函數；線性；歐姆接觸；1020/cm3
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填空題
金屬-半導體接觸分：（）三種。當半導體襯底濃度 低于（）時，只能產生（），當半導體襯底濃度 高于（）時 可實現(xiàn)（）。
答案：
肖特基接觸、歐姆接觸和合金接觸；1017/cm3；肖特基接觸；1020/cm3；歐姆接觸
填空題
半導體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結隔離適合（）的器件。目前大多數CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質場區(qū)氧化層采用（）工藝生長。
答案：
P-N結隔離；介質隔離；溝槽隔離；低密度、低成本；介質；局部氧化（LOCOS）
