注氧隔離技術、鍵合減薄技術、智能剝離技術。
圖元：工藝能夠制造的有源元件和無源元件的版圖作為工藝圖形單元
布線變復雜、信號線與地線間的寄生電容增加
12英寸
隨機失配是指由于元器件尺寸、摻雜濃度、氧化層厚度等影響元器件特性的參量發(fā)生微觀波動所引起的失配
工序目的：去除表面因加工應力而形成的損傷層及污染
表面缺陷、結構缺陷、氧化層中的電荷
雙極工藝為基礎的BiCMOS工藝用的多 影響B(tài)iCMOS器件性能的主要部分是雙極部分。
劃片、分類、管芯鍵合、引線壓焊、密封、管殼焊接、塑封、測試
