半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

填空題
二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。
答案：氧化；氣相
單項(xiàng)選擇題
常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。
A.熱塑性樹(shù)脂
B.熱固性或橡膠型膠粘劑
單項(xiàng)選擇題
反應(yīng)離子腐蝕是（）。
A.化學(xué)刻蝕機(jī)理
B.物理刻蝕機(jī)理
C.物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合
填空題
厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。
答案：氧化鈹陶瓷
問(wèn)答題
什么叫晶體缺陷？
答案：
晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。
填空題
外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。
答案：不夠；質(zhì)量差
填空題
釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。
答案：濕度
填空題
芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。
答案：剪切強(qiáng)度
單項(xiàng)選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
單項(xiàng)選擇題
在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）
A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力
B.焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力
C.焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間

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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。

反應(yīng)離子腐蝕是（）。

厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

什么叫晶體缺陷？

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。

釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.05.02)

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。

反應(yīng)離子腐蝕是（）。

厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

什么叫晶體缺陷？

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。

釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）

二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。

厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。

外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。

釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。

金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。

在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）