根據(jù)愛因斯坦關系：
用適當頻率的方脈沖照射到某n型半導體樣品，被樣品內部均勻吸收并產生非平衡載流子，其產生率為gp，非平衡載流子的壽命為τp，光脈沖寬度Δt=3τp。 1）試寫出在該脈沖光開始照射到結束以后，非平衡空穴所滿足的方程式。 2）設t=0的瞬間，脈沖光開始照射，試求脈沖光開始照射到結束后的整個時間內，非平衡空穴隨時間變化的規(guī)律。 3）在用直流光電導衰減法測量非平衡載流子壽命的實驗中，在示波器上觀察的是哪段曲線？所謂的壽命是指曲線上的哪段時間？由此如何定義非平衡載流子的壽命？
溫度升高時，晶體管的電流放大系數(shù)β（），反向飽和電流ICBO（），正向結電壓UBE（）。
在室溫下，高純鍺的電子遷移率μn=3900cm2/v˙s，設電子的有效質量為mn=3×10-29g，求： （1）熱運動速度平均值 （2）平均自由時間 （3）平均自由路程 （4）在外加電場為10/Vcm時的漂移速度
