電路與模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)章節(jié)練習(xí)(2020.04.19)

判斷圖所示電路的反饋類型和性質(zhì)，寫出I_o表達(dá)式，并說明電路的特點(diǎn)。

在圖功放電路中，已知V_CC=12V，R_L=8Ω。u_i為正弦電壓，求：     
1．在U_CES=0的情況下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率；     
2．每個(gè)管子的管耗P_CM至少應(yīng)為多少？ 每個(gè)管子的耐壓U_（BR）CEO至少應(yīng)為多少？

求圖中各元件的功率，并指出每個(gè)元件起電源作用還是負(fù)載作用。

某集成運(yùn)放的一單元電路如圖所示，VT₂、VT₃的特性相同，且β足夠大，U_BE=0.7V，R=1kΩ。
問：（1）VT₂、VT₂和R組成什么電路？在電路中起什么作用？
（2）電路中VT₁、R_e1起電平移動(dòng)作用，保證u_i=0時(shí)，u_o=0，求I_REF、I_C3和R_e1的值。

一壓控振蕩電路如圖所示，R₁》R，硅穩(wěn)壓管VD_Z的穩(wěn)定電壓為±U_Z，U_I為負(fù)的直流控制電壓，集成運(yùn)放A₁，A₂的性能理想。試求u_o的峰峰值及電路振蕩頻率f₀的表達(dá)式，并畫出u_o1及u_o的波形。

電路如圖所示，設(shè)MOS管的參數(shù)為U_GS（th）=1V，I_DO =500uA。電路參數(shù)為V_DD=5V，－V_SS=－5V，R_d=10kΩ，R=0.5kΩ，I_DQ=0.5mA。若流過R_g1、R_g2的電流是I_DQ的1/10，試確定R_g1和R_g2的值。

求圖所示電路ab端的等效阻抗Z及導(dǎo)納Y。