微信掃一掃關(guān)注公眾號(hào)后聯(lián)系客服
微信掃碼免費(fèi)搜題
首頁(yè)
題庫(kù)
網(wǎng)課
在線???/h3>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項(xiàng)
半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.19)
填空題
半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央,其導(dǎo)帶極小值位于()方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處,因此屬于()半導(dǎo)體。
答案:
[100];間接帶隙
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
名詞解釋
CE理論
答案:
器件尺寸可以減小寄生電容和溝道長(zhǎng)度,從而改善電路的性能和集成度。MOS器件尺寸縮小后,會(huì)引入一系列的端溝道和窄溝道效應(yīng)。...
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
單項(xiàng)選擇題
在晶體硅中摻入元素()雜質(zhì)后,能形成N型半導(dǎo)體。
A.鍺
B.磷
C.硼
D.錫
點(diǎn)擊查看答案&解析
手機(jī)看題
問(wèn)答題
電路如圖且各元件數(shù)值已知:敘述Rb1,RE,CE在電路中的作用;若環(huán)境溫度升高,敘述該電路靜態(tài)工作點(diǎn)Q穩(wěn)定的過(guò)程;要使靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定,寫出I1應(yīng)滿足的條件;求出IBQ的表達(dá)式;寫出該放大器的電壓放大系數(shù)表達(dá)式;寫出輸入電阻Ri的表達(dá)式;寫出輸出電阻R0的表達(dá)式。
答案:
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
問(wèn)答題
現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品,已知室溫下(300K)它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3,p02=1.5×1010/cm3,p03=2.25×104/cm3(1)分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度(2)判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型 (3)計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置
答案:
對(duì)這三塊材料分別計(jì)算如下:
即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
判斷題
施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。
答案:
正確
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
問(wèn)答題
平均自由程,平均自由時(shí)間,散射幾率?
答案:
平均自由程:電子在受到兩次散射之間所走過(guò)的平均距離;
平均自由時(shí)間:電子在受到兩次散射之間運(yùn)動(dòng)的平均時(shí)間;
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
單項(xiàng)選擇題
如果對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行重?fù)诫s,會(huì)出現(xiàn)的現(xiàn)象是()
A.禁帶變寬
B.少子遷移率增大
C.多子濃度減小
D.簡(jiǎn)并化
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
問(wèn)答題
畫出p型半導(dǎo)體在光照(小注入)前后的能帶圖,標(biāo)出原來(lái)的的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。
答案:
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。
答案:
⑴有源負(fù)載的交流阻抗r
AC
很大,所以使每級(jí)放大器的電壓增益A
V
提高。因而可以...
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題