半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.19)

填空題
半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于（）方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于（）半導(dǎo)體。
答案：[100]；間接帶隙
名詞解釋
CE理論
答案：器件尺寸可以減小寄生電容和溝道長(zhǎng)度，從而改善電路的性能和集成度。MOS器件尺寸縮小后，會(huì)引入一系列的端溝道和窄溝道效應(yīng)。...
單項(xiàng)選擇題
在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。
A.鍺
B.磷
C.硼
D.錫
問(wèn)答題
電路如圖且各元件數(shù)值已知：敘述Rb1，RE，CE在電路中的作用；若環(huán)境溫度升高，敘述該電路靜態(tài)工作點(diǎn)Q穩(wěn)定的過(guò)程；要使靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定，寫出I1應(yīng)滿足的條件；求出IBQ的表達(dá)式；寫出該放大器的電壓放大系數(shù)表達(dá)式；寫出輸入電阻Ri的表達(dá)式；寫出輸出電阻R0的表達(dá)式。
答案：
問(wèn)答題
現(xiàn)有三個(gè)半導(dǎo)體硅樣品，已知室溫下（300K）它們的空穴濃度分別為p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3（1）分別計(jì)算這三個(gè)樣品的電子濃度（2）判別這三個(gè)樣品的導(dǎo)電類型（3）計(jì)算這三個(gè)樣品的費(fèi)米能級(jí)的位置
答案：
對(duì)這三塊材料分別計(jì)算如下：

即P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線下0.37eV處
判斷題
施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。
答案：正確
問(wèn)答題
平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率？
答案：平均自由程：電子在受到兩次散射之間所走過(guò)的平均距離；
平均自由時(shí)間：電子在受到兩次散射之間運(yùn)動(dòng)的平均時(shí)間；
單項(xiàng)選擇題
如果對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行重?fù)诫s，會(huì)出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）
A.禁帶變寬
B.少子遷移率增大
C.多子濃度減小
D.簡(jiǎn)并化
問(wèn)答題
畫出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來(lái)的的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。
答案：
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。
答案：⑴有源負(fù)載的交流阻抗r_AC很大，所以使每級(jí)放大器的電壓增益A_V提高。因而可以...

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半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.19)

半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于（）方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于（）半導(dǎo)體。

CE理論

在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。

施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。

平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率？

如果對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行重?fù)诫s，會(huì)出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）

畫出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來(lái)的的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。

簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.19)

半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于（）方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于（）半導(dǎo)體。

CE理論

在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。

施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。

平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率？

如果對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行重?fù)诫s，會(huì)出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）

畫出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來(lái)的的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。

簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于（）方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于（）半導(dǎo)體。

在晶體硅中摻入元素（）雜質(zhì)后，能形成N型半導(dǎo)體。

施主雜質(zhì)成為離子后是正離子。

平均自由程，平均自由時(shí)間，散射幾率？

如果對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行重?fù)诫s，會(huì)出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）

畫出p型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，標(biāo)出原來(lái)的的費(fèi)米能級(jí)和光照時(shí)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。