一半徑為R,電阻率為ρ的金屬薄圓盤放在磁場中,B的方向與盤面垂直,B的值為B(t)=B0t/τ,式中的B0和τ為常量,t為時間。 (1)求盤中產(chǎn)生的渦電流的電流密度; (2)若R=0.20m,ρ=6.0×10-8Ω·m,B0=2.2T,τ=18.0s,計算圓盤邊緣處的電流密度。
如圖所示,在與均勻磁場垂直的平面內(nèi)有一折成α角的V形導(dǎo)線框,其MN邊可以自由滑動,并保持與其它兩邊接觸,今使MN⊥ON,當(dāng)t=0時,MN由O點出發(fā),以勻速v平行于ON滑動,已知磁場隨時間的變化規(guī)律為B(t)=t2/2,求線框中的感應(yīng)電動勢與時間的函數(shù)關(guān)系。
均勻磁場B(t)被限制在半徑為R的圓柱形空間,磁場對時間的變化率為dB/dt,在與磁場垂直的平面內(nèi)有一正三角形回路aob,位置如圖所示,試求回路中的感應(yīng)電動勢的大小。