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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】氧化硅的熱動(dòng)力學(xué)生長(zhǎng)過(guò)程中包括哪幾個(gè)主要過(guò)程？并說(shuō)明每一種過(guò)程中的什么因素對(duì)氧化生長(zhǎng)速率有影響？其中決定因素是什么？
答案：
熱氧化過(guò)程中，氧化層的增厚包括三個(gè)過(guò)程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式輸運(yùn)到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過(guò)滯流層到...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】熱生長(zhǎng)厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO2的界面與原來(lái)的硅表面的高度差為多少？為什么？
答案：
氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長(zhǎng)1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是摻氯氧化？試說(shuō)明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。
答案：
在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質(zhì)量，在氧化的全過(guò)程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數(shù)量的氯，將氯結(jié)合到氧...
