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一半徑為R，電阻率為ρ的金屬薄圓盤放在磁場中，B的方向與盤面垂直，B的值為B（t）=B₀t/τ，式中的B₀和τ為常量，t為時間。
（1）求盤中產生的渦電流的電流密度；
（2）若R=0.20m，ρ=6.0×10^-8Ω·m，B₀=2.2T，τ=18.0s，計算圓盤邊緣處的電流密度。

如圖所示，在與均勻磁場垂直的平面內有一折成α角的V形導線框，其MN邊可以自由滑動，并保持與其它兩邊接觸，今使MN⊥ON，當t=0時，MN由O點出發(fā)，以勻速v平行于ON滑動，已知磁場隨時間的變化規(guī)律為B（t）＝t²/2，求線框中的感應電動勢與時間的函數關系。