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集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.03.19)

問(wèn)答題
硅片表面吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)有哪些？
答案：
被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型
問(wèn)答題
將硅單晶棒制成硅片的過(guò)程包括哪些工藝？
答案：
包括：切斷、滾磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蝕、拋光、清洗、檢驗(yàn)。
問(wèn)答題
影響顯影的主要因素？
答案：
曝光時(shí)間、前烘的溫度和時(shí)間、光刻膠的膜厚、顯影液的濃度、顯影液的溫度、顯影液的攪動(dòng)情況
問(wèn)答題
常用的CVD哪幾種？說(shuō)明各自的優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
答案：（1）常壓化學(xué)氣相淀積，這種工藝所需的系統(tǒng)簡(jiǎn)單，反應(yīng)速度快，并特別適于介質(zhì)淀積，但是它的缺點(diǎn)是均勻性較差，氣體消耗量大，...
問(wèn)答題
鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)是什么？
答案：
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對(duì)齊
問(wèn)答題
形成SOI材料的主要技術(shù)是什么？
答案：
注氧隔離技術(shù)、鍵合減薄技術(shù)、智能剝離技術(shù)。
問(wèn)答題
為什么晶體管的反向工作狀態(tài)一般不用，尤其是在集成電路中更是如此？
答案：由于晶體管的實(shí)際結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，特別是在集成電路中，發(fā)射區(qū)嵌套在基區(qū)內(nèi)，基區(qū)嵌套在集電區(qū)內(nèi)，發(fā)射結(jié)比集電結(jié)小很多反向電流放大...
問(wèn)答題
SPICE模型是如何建立的？其優(yōu)缺點(diǎn)是什么？
答案：SPICE模型是建立在電路基本元器件的工作機(jī)理和物理細(xì)節(jié)上優(yōu)點(diǎn)：可以精確的在電路器件一級(jí)仿真系統(tǒng)測(cè)試工作特性和驗(yàn)證系統(tǒng)邏...
問(wèn)答題
為什么GaAs同質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的性能很難達(dá)到或超過(guò)硅基BJT的性能？
答案：
它的空穴遷移率低于硅的空穴遷移率
問(wèn)答題
MOS管是圖元之一，它的可變參數(shù)有哪些？
答案：
柵長(zhǎng)、柵寬、柵指數(shù)