在φ50、φ44兩孔上測(cè)量,如圖26所示。
探頭晶片尺寸增加,近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度增加,對(duì)探傷不利。
A、縱波 B、切變波 C、瑞利波 D、蘭姆波
如圖28所示。在GHT—5試塊C區(qū)2號(hào)豎孔上校準(zhǔn)。